最新头条！韩媒"OSEN"惊呼"耻辱"：国青U19负于中国 20年首次失利恐成导火索

韩媒"OSEN"惊呼"耻辱"：国青U19负于中国 20年首次失利恐成导火索

韩国U19国青队在亚青赛预选赛中以0-2不敌中国队，这一结果令韩国媒体震惊。韩国媒体"OSEN"在报道中将此次失利形容为"耻辱"，并表示这可能是韩国足球整体水平下降的信号。

"OSEN"指出，韩国U19国青队此前在与中国队的比赛中保持着压倒性的优势，20年来从未输球。然而，在本场比赛中，中国队展现出了出色的技战术水平和团队合作精神，最终完场获胜。

"OSEN"认为，韩国足球近年来一直处于停滞状态，青训体系也存在着诸多问题。此次U19国青队的失利，可能会成为韩国足球整体水平下降的导火索。

除了"OSEN"之外，其他韩国媒体也纷纷对这场比赛进行了报道。韩国媒体"KBS"称，这场失利是"韩国足球的耻辱"，并呼吁韩国足协采取措施，尽快提升韩国足球水平。

韩国媒体"MBC"则表示，韩国U19国青队的失利暴露出了一些深层次问题，需要韩国足球界进行深刻反思。

韩国U19国青队的失利，不仅令韩国球迷感到失望，也引发了韩国足球界的反思。韩国足球能否重回正轨，还需要时间来检验。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

关于TechInsights

TechInsights是一家专注于半导体和集成电路领域的技术研究公司。该公司为客户提供各种市场研究和分析服务，包括市场趋势分析、技术分析和竞争对手分析。

免责声明

本新闻稿仅供参考，不构成任何投资建议。